CW DFB फायबर लेसर मॉड्यूल उत्पादक

1550nm 20mW SM फायबर कपल्ड लेझर डायोड प्रामुख्याने उच्च-क्षमतेच्या लांब-अंतराच्या ऑप्टिकल कम्युनिकेशनसाठी ऑप्टिकल सिग्नल म्हणून वापरले जाते, तसेच फायबर सेन्सिंग, 3D सेन्सिंग, गॅस सेन्सिंग आणि श्वसनासारख्या रोगांचे निदान यांसारख्या नवीन ऍप्लिकेशन्सच्या विस्तृत श्रेणीसाठी वापरले जाते. आणि संवहनी निरीक्षण. गॅस सेन्सिंगच्या क्षेत्रात, ते गॅस सेन्सर्ससाठी प्रकाश स्रोत म्हणून वापरले जाते जे फॅक्टरी पाईप्सभोवती मिथेन वायू गळती शोधतात.

808nm 170W हाय पॉवर फायबर कपल्ड डायोड लेसर हे उद्योगात उच्च आउटपुट पॉवर आणि उच्च कपलिंग कार्यक्षमता आहे. 170W च्या उच्च आउटपुट पॉवरसह, 808nm लेसर डायोड लेसर पंपिंग स्त्रोत, वैद्यकीय, सामग्री प्रक्रिया आणि मुद्रण इत्यादींमध्ये अति तीव्र आणि CW लेसर प्रकाश स्रोत प्रदान करतो. विविध तंतूंसाठी डिझाइन केलेली सानुकूलित आवृत्ती आणि प्रणाली उपलब्ध आहेत.

डबल क्लॅड थुलियम डोप्ड ऑप्टिकल फायबर राखणारे ध्रुवीकरण डोळा-सुरक्षित असलेल्या उच्च-शक्ती 2 यूएम अरुंद लाइनविड्थ फायबर एम्पलीफायर्ससाठी डिझाइन केलेले आहे. टीएम आयन डोपिंग ऑप्टिमाइझ करून, त्यात 793nm च्या तरंगलांबीवर पंप केल्यावर उच्च उतार कार्यक्षमता, उच्च शोषण गुणांक आणि उच्च ध्रुवीकरण विलुप्त होण्याचे प्रमाण आहे.

BoxOptronics Erbium-ytterbium Co-doped Multimode Fiber हे मुख्यत्वे हाय-पॉवर टेलिकॉम/CATV फायबर अॅम्प्लिफायर्स, लेझर रेंजिंग, लिडर आणि नेत्र-सुरक्षित लेसरमध्ये वापरले जाते. ऑप्टिकल फायबरमध्ये कमी स्प्लिसिंग नुकसान आणि उच्च प्रकाश-ते-प्रकाश रूपांतरण कार्यक्षमता आहे. उच्च शोषण गुणांक आउटपुट पॉवर आणि कमी खर्चाची खात्री देतो आणि ऑप्टिकल फायबर शोषण गुणांक नियंत्रित करू शकतो आणि चांगल्या सुसंगततेसह स्पेक्ट्रम मिळवू शकतो.

हे 1610nm 5mW TO-CAN DFB लेझर डायोड हे कमी तापमान-तरंगलांबी गुणांकासह विस्तृत तापमान श्रेणीवर चालणारे उत्पादन आहे. फायबर किंवा मोकळ्या जागेत अंतर मोजण्यासाठी कम्युनिकेशन्स रिसर्च, इंटरफेरोमेट्री आणि ऑप्टिकल रिफ्लेमेट्री यासारख्या ऍप्लिकेशन्ससाठी हे योग्य आहे. प्रत्येक उपकरणाची चाचणी आणि बर्न-इन केले जाते. हे लेसर 5.6 मिमी TO कॅनमध्ये पॅकेज केलेले आहे. यात कॅपमध्ये एकात्मिक एस्फेरिक फोकसिंग लेन्स आहे, ज्यामुळे फोकस स्पॉट आणि संख्यात्मक छिद्र (NA) SMF-28e+ फायबरशी जुळतात.

300um InGaAs Photodiode चिप 900nm ते 1700nm पर्यंत उत्कृष्ट प्रतिसाद देते, दूरसंचार आणि जवळ IR शोधण्यासाठी योग्य आहे. फोटोडायोड उच्च बँडविड्थ आणि सक्रिय संरेखन अनुप्रयोगांसाठी योग्य आहे.