उत्पादने

500um मोठे क्षेत्र InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड चिप
  • 500um मोठे क्षेत्र InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड चिप500um मोठे क्षेत्र InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड चिप

500um मोठे क्षेत्र InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड चिप

500um लार्ज एरिया InGaAs Avalanche Photodiode Chip विशेषत: कमी गडद, ​​कमी कॅपेसिटन्स आणि उच्च हिमस्खलन वाढीसाठी डिझाइन केलेली आहे. या चिपचा वापर करून उच्च संवेदनशीलता असलेला ऑप्टिकल रिसीव्हर मिळवता येतो.

चौकशी पाठवा

उत्पादन वर्णन

1. 500हम्म मोठ्या क्षेत्र InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड चिपचा सारांश

500हम्म लार्ज एरिया InGaAs Avalanche Photodiode Chip विशेषत: कमी गडद, ​​कमी कॅपेसिटन्स आणि उच्च हिमस्खलन वाढीसाठी डिझाइन केलेली आहे. या चिपचा वापर करून उच्च संवेदनशीलता असलेला ऑप्टिकल रिसीव्हर मिळवता येतो.

2. 500हम्म मोठ्या क्षेत्र InGaAs हिमस्खलन फोटोडिओड चिपचा परिचय

500हम्म लार्ज एरिया InGaAs Avalanche Photodiode Chip विशेषत: कमी गडद, ​​कमी कॅपेसिटन्स आणि उच्च हिमस्खलन वाढीसाठी डिझाइन केलेली आहे. या चिपचा वापर करून उच्च संवेदनशीलता असलेला ऑप्टिकल रिसीव्हर मिळवता येतो.

3. 500हम्म मोठ्या क्षेत्र InGaAs हिमस्खलन फोटोडिओड चिपची वैशिष्ट्ये

श्रेणी 900nm-1650nm शोधा;

उच्च गती;

उच्च जबाबदारी;

कमी क्षमता;

कमी गडद प्रवाह;

शीर्ष प्रकाशित प्लॅनर रचना.

4. 500हम्म मोठ्या क्षेत्राचा InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड चिपचा वापर

देखरेख;

फायबर-ऑप्टिक उपकरणे;

डेटा कम्युनिकेशन्स.

5. 500हम्म मोठ्या क्षेत्राचे परिपूर्ण कमाल रेटिंग InGaAs हिमस्खलन फोटोडिओड चिप

पॅरामीटरचिन्हमूल्ययुनिट
जास्तीत जास्त फॉरवर्ड करंट-10mA
कमाल व्होल्टेज पुरवठा-VBRV
कार्यशील तापमानटोपर-40 ते +85
स्टोरेज तापमानTstg-55 ते +125

6. इलेक्ट्रो-ऑप्टिकल वैशिष्ट्ये(T=25℃) 500हम्म मोठ्या क्षेत्राचे InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड चिप

पॅरामीटरचिन्हपरिस्थितीमि.टाइप करा.कमालयुनिट
तरंगलांबी श्रेणीλ 900-1650nm
ब्रेकडाउन व्होल्टेजVBRआयडी = 10uA40-52V
VBR चे तापमान गुणांक---0.12-V/℃
उत्तरदायित्वRVR = VBR -3V1013-A/W
गडद प्रवाहआयडीVBR -3V-0.410.0nA
क्षमताCVR =38V, f=1MHz-8-pF
बँडविथBw--2.0-GHz

7. 500हम्म मोठ्या क्षेत्र InGaAs हिमस्खलन फोटोडिओड चिपचे परिमाण पॅरामीटर

पॅरामीटरचिन्हमूल्ययुनिट
सक्रिय क्षेत्र व्यासD53हम्म
बाँड पॅड व्यास-65हम्म
डाय आकार-250x250हम्म
जाडी मरणेt150±20हम्म

8. InGaAs हिमस्खलन फोटोडिओड चिप 500हम्म मोठ्या क्षेत्राचे वितरण, शिपिंग आणि सर्व्हिंग

बाहेर पाठवण्यापूर्वी सर्व उत्पादनांची चाचणी केली गेली आहे;

सर्व उत्पादनांची 1-3 वर्षांची वॉरंटी असते. (गुणवत्ता हमी कालावधीनंतर योग्य देखभाल सेवा शुल्क आकारण्यास सुरुवात होते.)

आम्‍ही तुमच्‍या व्‍यवसायाची प्रशंसा करतो आणि त्‍याच 7 दिवसांची रिटर्न पॉलिसी ऑफर करतो. (वस्तू प्राप्त झाल्यानंतर 7 दिवस);

जर तुम्ही आमच्या स्टोअरमधून खरेदी केलेल्या वस्तू परिपूर्ण दर्जाच्या नसतील, म्हणजे ते उत्पादकांच्या वैशिष्ट्यांनुसार इलेक्ट्रॉनिक पद्धतीने काम करत नाहीत, तर त्यांना बदलण्यासाठी किंवा परताव्यासाठी आमच्याकडे परत करा;

आयटम सदोष असल्यास, कृपया वितरणाच्या 3 दिवसांच्या आत आम्हाला सूचित करा;

परतावा किंवा बदलीसाठी पात्र होण्यासाठी कोणतीही वस्तू त्यांच्या मूळ स्थितीत परत करणे आवश्यक आहे;

खरेदीदार सर्व शिपिंग खर्चासाठी जबाबदार आहे.

8. वारंवार विचारले जाणारे प्रश्न

प्रश्न: तुम्हाला कोणते सक्रिय क्षेत्र आवडेल?

A: आमच्याकडे 50हम्म 200हम्म 500हम्म सक्रिय क्षेत्र InGaAs Avalanche Photodiode चिप आहे.

प्रश्न: कनेक्टरची आवश्यकता काय आहे?

A: बॉक्स ऑप्ट्रॉनिक्स तुमच्या गरजेनुसार सानुकूलित करू शकतात.

हॉट टॅग्ज: 500um मोठे क्षेत्र InGaAs हिमस्खलन फोटोडायोड चिप, उत्पादक, पुरवठादार, घाऊक, कारखाना, सानुकूलित, मोठ्या प्रमाणात, चीन, चीनमध्ये बनवलेले, स्वस्त, कमी किंमत, गुणवत्ता

संबंधित श्रेणी

चौकशी पाठवा

कृपया खालील फॉर्ममध्ये तुमची चौकशी करण्यास मोकळ्या मनाने द्या. आम्ही तुम्हाला २४ तासांत उत्तर देऊ.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept