50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip हा फोटोडायोड आहे ज्यामध्ये रिव्हर्स व्होल्टेज वापरून अंतर्गत फायदा होतो. त्यांच्याकडे फोटोडायोड्सपेक्षा जास्त सिग्नल-टू-आवाज गुणोत्तर (SNR), तसेच जलद वेळ प्रतिसाद, कमी गडद प्रवाह आणि उच्च संवेदनशीलता आहे. स्पेक्ट्रल प्रतिसाद श्रेणी सामान्यत: 900 - 1650nm च्या आत असते.
200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip विशेषत: कमी गडद, कमी कॅपेसिटन्स आणि उच्च हिमस्खलन वाढीसाठी डिझाइन केलेली आहे. या चिपचा वापर करून उच्च संवेदनशीलता असलेला ऑप्टिकल रिसीव्हर मिळवता येतो.
500um लार्ज एरिया InGaAs Avalanche Photodiode Chip विशेषत: कमी गडद, कमी कॅपेसिटन्स आणि उच्च हिमस्खलन वाढीसाठी डिझाइन केलेली आहे. या चिपचा वापर करून उच्च संवेदनशीलता असलेला ऑप्टिकल रिसीव्हर मिळवता येतो.
50um InGaAs avalanche photodiodes APDs हे 900 ते 1700nm तरंगलांबी श्रेणीमध्ये उच्च प्रतिसादक्षमता आणि अत्यंत जलद वाढ आणि पडण्याच्या वेळेसह सर्वात मोठे व्यावसायिकरित्या उपलब्ध InGaAs APD आहे, 1550nm वरील शिखर उत्तरदायित्व सुरक्षीत स्पेस, मोकळ्या जागेत संप्रेषणासाठी योग्य आहे. OTDR आणि ऑप्टिकल कोहेरेन्स टोमोग्राफी. ही चिप हर्मेटिकली TO पॅकेजमध्ये सील केलेली आहे, पिगटेल पर्याय देखील उपलब्ध आहे.
200um InGaAs avalanche photodiodes APDs हे 1100 ते 1650nm तरंगलांबी श्रेणीमध्ये उच्च प्रतिसादक्षमतेसह आणि अत्यंत जलद वाढ आणि पडण्याच्या वेळेसह सर्वात मोठे व्यावसायिकरित्या उपलब्ध InGaAs APD आहे, 1550nm वरील शिखर उत्तरदायित्व मोकळ्या जागेसाठी अनुकूल आहे. OTDR आणि ऑप्टिकल कोहेरेन्स टोमोग्राफी. ही चिप हर्मेटिकली TO पॅकेजमध्ये सील केलेली आहे, पिगटेल पर्याय देखील उपलब्ध आहे.
500um TO CAN InGaAs avalanche photodiodes APDs हे सर्वात मोठे व्यावसायिकरित्या उपलब्ध InGaAs APD आहे ज्यामध्ये 1100 ते 1650nm तरंगलांबी श्रेणीमध्ये उच्च प्रतिसाद आणि अत्यंत जलद वाढ आणि पडण्याची वेळ आहे, 1550nm वरील शिखर उत्तरदायित्व मोकळ्या जागेसाठी अनुकूल आहे. कम्युनिकेशन्स, ओटीडीआर आणि ऑप्टिकल कोहेरेन्स टोमोग्राफी. ही चिप हर्मेटिकली टू पॅकेजमध्ये सील केलेली आहे, पिगटेल पर्याय देखील उपलब्ध आहे.
कॉपीराइट @ २०२० शेन्झेन बॉक्स ऑप्ट्रॉनिक्स टेक्नॉलॉजी कंपनी, लि.
