200um InGaAs avalanche photodiodes APDs हे 1100 ते 1650nm तरंगलांबी श्रेणीमध्ये उच्च प्रतिसादक्षमतेसह आणि अत्यंत जलद वाढ आणि पडण्याच्या वेळेसह सर्वात मोठे व्यावसायिकरित्या उपलब्ध InGaAs APD आहे, 1550nm वरील शिखर उत्तरदायित्व मोकळ्या जागेसाठी अनुकूल आहे. OTDR आणि ऑप्टिकल कोहेरेन्स टोमोग्राफी. ही चिप हर्मेटिकली TO पॅकेजमध्ये सील केलेली आहे, पिगटेल पर्याय देखील उपलब्ध आहे.
200um InGaAs avalanche photodiodes APDs हे 1100 ते 1650nm तरंगलांबी श्रेणीमध्ये उच्च प्रतिसादक्षमतेसह आणि अत्यंत जलद वाढ आणि पडण्याच्या वेळेसह सर्वात मोठे व्यावसायिकरित्या उपलब्ध InGaAs APD आहे, 1550nm वरील शिखर उत्तरदायित्व मोकळ्या जागेसाठी अनुकूल आहे. OTDR आणि ऑप्टिकल कोहेरेन्स टोमोग्राफी.
सुधारित TO पॅकेजमध्ये हर्मेटिकली चिप सील केली जाते, पिगटेल पर्याय देखील उपलब्ध आहे.
200um InGaAs avalanche photodiodes APDs हे 1100 ते 1650nm तरंगलांबी श्रेणीमध्ये उच्च प्रतिसादक्षमतेसह आणि अत्यंत जलद वाढ आणि पडण्याच्या वेळेसह सर्वात मोठे व्यावसायिकरित्या उपलब्ध InGaAs APD आहे, 1550nm वरील शिखर उत्तरदायित्व मोकळ्या जागेसाठी अनुकूल आहे. OTDR आणि ऑप्टिकल कोहेरेन्स टोमोग्राफी.
सुधारित TO पॅकेजमध्ये हर्मेटिकली चिप सील केली जाते, पिगटेल पर्याय देखील उपलब्ध आहे.
श्रेणी 1100nm-1650nm शोधा;
विस्तृत डायनॅमिक श्रेणी;
उच्च जबाबदारी;
कमी गडद प्रवाह;
मानक TO-46 पॅकेज.
ऑप्टिकल सेन्सर;
मुक्त जागा ऑप्टिकल संप्रेषण.
| पॅरामीटर | चिन्ह | परिस्थिती | मि. | कमाल | युनिट |
| पीडी रिव्हर्स व्होल्टेज | VR | CW | - | VBR | V |
| फॉरवर्ड करंट | तर | CW | - | 10 | mA |
| उलट प्रवाह | आयआर | CW | - | 10 | mA |
| कार्यशील तापमान | टॉप | केस तापमान | -40 | +८५ | ℃ |
| स्टोरेज तापमान | TSTG | वातावरणीय तापमान | -40 | +८५ | ℃ |
| लीड सोल्डरिंग तापमान/वेळ | टी.एस | - | - | 260/10 | ℃/S |
| पॅरामीटर | चिन्ह | परिस्थिती | मि. | टाइप करा. | कमाल | युनिट |
| तरंगलांबी श्रेणी | λ | 1100 | - | 1650 | nm | |
| सक्रिय क्षेत्र | φ | - | - | 200 | - | हम्म |
| जबाबदारी | रे | M=1,λ=1550nm | 0.80 | - | - | A/W |
| गुणाकार कारक | M | VR=VBR-3, λ=1550nm,φe=1uW | 10 | - | - | - |
| गडद प्रवाह | आयडी | VR=VBR-3, φe=0 | - | - | 35 | nA |
| रिव्हर्स ब्रेकडाउन व्होल्टेज | VBR | ID=10μA, φe=0 | 40 | - | 55 | V |
| बँडविड्थ | BW | -3dB पॉइंट, M=10, RL=50Ω | - | 1.25 | - | GHz |
| क्षमता | C | M=10, φe=0, f=1MHz | - | - | 2 | pF |
बाहेर पाठवण्यापूर्वी सर्व उत्पादनांची चाचणी केली गेली आहे;
सर्व उत्पादनांची 1-3 वर्षांची वॉरंटी असते. (गुणवत्ता हमी कालावधीनंतर योग्य देखभाल सेवा शुल्क आकारण्यास सुरुवात होते.)
आम्ही तुमच्या व्‍यवसायाची प्रशंसा करतो आणि त्‍याच 7 दिवसांची रिटर्न पॉलिसी ऑफर करतो. (वस्तू प्राप्त झाल्यानंतर 7 दिवस);
जर तुम्ही आमच्या स्टोअरमधून खरेदी केलेल्या वस्तू परिपूर्ण दर्जाच्या नसतील, तर ते निर्मात्यांच्या वैशिष्ट्यांनुसार इलेक्ट्रॉनिक पद्धतीने काम करत नाहीत, फक्त त्या बदलण्यासाठी किंवा परत करण्यासाठी आमच्याकडे परत करा;
आयटम सदोष असल्यास, कृपया वितरणाच्या 3 दिवसांच्या आत आम्हाला सूचित करा;
परतावा किंवा बदलीसाठी पात्र होण्यासाठी कोणतीही वस्तू त्यांच्या मूळ स्थितीत परत करणे आवश्यक आहे;
खरेदीदार सर्व शिपिंग खर्चासाठी जबाबदार आहे.
A: आमच्याकडे 0.3mm 0.5mm 1mm सक्रिय क्षेत्र हिमस्खलन फोटोडायोड्स आहेत.
प्रश्न: कनेक्टरची आवश्यकता काय आहे?A: बॉक्स ऑप्ट्रॉनिक्स तुमच्या गरजेनुसार सानुकूलित करू शकतात.
कॉपीराइट @ २०२० शेन्झेन बॉक्स ऑप्ट्रॉनिक्स टेक्नॉलॉजी कंपनी, लि.
