200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip विशेषत: कमी गडद, कमी कॅपेसिटन्स आणि उच्च हिमस्खलन वाढीसाठी डिझाइन केलेली आहे. या चिपचा वापर करून उच्च संवेदनशीलता असलेला ऑप्टिकल रिसीव्हर मिळवता येतो.
200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip विशेषत: कमी गडद, कमी कॅपेसिटन्स आणि उच्च हिमस्खलन वाढीसाठी डिझाइन केलेली आहे. या चिपचा वापर करून उच्च संवेदनशीलता असलेला ऑप्टिकल रिसीव्हर मिळवता येतो.
200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip विशेषत: कमी गडद, कमी कॅपेसिटन्स आणि उच्च हिमस्खलन वाढीसाठी डिझाइन केलेली आहे. या चिपचा वापर करून उच्च संवेदनशीलता असलेला ऑप्टिकल रिसीव्हर मिळवता येतो.
श्रेणी 900nm-1650nm शोधा;
उच्च गती;
उच्च जबाबदारी;
कमी क्षमता;
कमी गडद प्रवाह;
शीर्ष प्रकाशित प्लॅनर रचना.
देखरेख;
फायबर-ऑप्टिक उपकरणे;
डेटा कम्युनिकेशन्स.
| पॅरामीटर | चिन्ह | मूल्य | युनिट |
| जास्तीत जास्त फॉरवर्ड करंट | - | 10 | mA |
| कमाल व्होल्टेज पुरवठा | - | VBR | V |
| कार्यशील तापमान | टोपर | -40 ते +85 | ℃ |
| स्टोरेज तापमान | Tstg | -55 ते +125 | ℃ |
| पॅरामीटर | चिन्ह | परिस्थिती | मि. | टाइप करा. | कमाल | युनिट |
| तरंगलांबी श्रेणी | λ | 900 | - | 1650 | nm | |
| ब्रेकडाउन व्होल्टेज | VBR | आयडी = 10uA | 40 | - | 60 | V |
| VBR चे तापमान गुणांक | - | - | - | 0.12 | - | V/℃ |
| उत्तरदायित्व | R | VR = VBR -4V | 9 | 10 | - | A/W |
| गडद प्रवाह | आयडी | VBR -4V | - | 6.0 | 30 | nA |
| क्षमता | C | VR =38V, f=1MHz | - | 1.6 | - | pF |
| बँडविथ | Bw | - | - | 2.0 | - | GHz |
| पॅरामीटर | चिन्ह | मूल्य | युनिट |
| सक्रिय क्षेत्र व्यास | D | 200 | हम्म |
| बाँड पॅड व्यास | - | 60 | हम्म |
| डाय आकार | - | 350x350 | हम्म |
| जाडी मरणे | t | 180±20 | हम्म |
बाहेर पाठवण्यापूर्वी सर्व उत्पादनांची चाचणी केली गेली आहे;
सर्व उत्पादनांची 1-3 वर्षांची वॉरंटी असते. (गुणवत्ता हमी कालावधीनंतर योग्य देखभाल सेवा शुल्क आकारण्यास सुरुवात होते.)
आम्ही तुमच्या व्‍यवसायाची प्रशंसा करतो आणि त्‍याच 7 दिवसांची रिटर्न पॉलिसी ऑफर करतो. (वस्तू प्राप्त झाल्यानंतर 7 दिवस);
जर तुम्ही आमच्या स्टोअरमधून खरेदी केलेल्या वस्तू परिपूर्ण दर्जाच्या नसतील, तर ते निर्मात्यांच्या वैशिष्ट्यांनुसार इलेक्ट्रॉनिक पद्धतीने काम करत नाहीत, फक्त त्या बदलण्यासाठी किंवा परत करण्यासाठी आमच्याकडे परत करा;
आयटम सदोष असल्यास, कृपया वितरणाच्या 3 दिवसांच्या आत आम्हाला सूचित करा;
परतावा किंवा बदलीसाठी पात्र होण्यासाठी कोणतीही वस्तू त्यांच्या मूळ स्थितीत परत करणे आवश्यक आहे;
खरेदीदार सर्व शिपिंग खर्चासाठी जबाबदार आहे.
एक: आम्ही 50um 200um 500um सक्रिय क्षेत्र InGaAs लोट Photodiode चिप.
प्रश्न: कनेक्टरची आवश्यकता काय आहे?A: बॉक्स ऑप्ट्रॉनिक्स तुमच्या गरजेनुसार सानुकूलित करू शकतात.
कॉपीराइट @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - China Fiber Optic Modules, Fiber Coupled Lasers Manufacturers, Laser Components Suppliers सर्व हक्क राखीव.
