1550nm 5W सिंगल वेव्हलेंथ DFB एर्बियम-डोपड फायबर लेसर मॉड्यूल उत्पादक

एर्बियम-डोपड फायबर अॅम्प्लिफायर (ईडीएफए, म्हणजेच, सिग्नलच्या मध्यभागी एर्बियम आयन Er3 + डोप केलेले ऑप्टिकल सिग्नल अॅम्प्लीफायर) हे 1985 मध्ये यूकेमधील साउथॅम्प्टन विद्यापीठाने विकसित केलेले पहिले ऑप्टिकल अॅम्प्लीफायर आहे. ऑप्टिकल फायबर कम्युनिकेशनमधील सर्वात मोठा ऑप्टिकल अॅम्प्लीफायर. आविष्कारांपैकी एक. एर्बियम-डोपड फायबर हा क्वार्ट्ज फायबरमध्ये थोड्या प्रमाणात दुर्मिळ पृथ्वी घटक एर्बियम (एर) आयनसह डोप केलेला ऑप्टिकल फायबर आहे आणि तो एर्बियम-डोपड फायबर अॅम्प्लिफायरचा गाभा आहे. 1980 च्या दशकाच्या उत्तरार्धापासून, एर्बियम-डोपड फायबर अॅम्प्लिफायर्सच्या संशोधन कार्याने सतत महत्त्वपूर्ण प्रगती केली आहे. WDM तंत्रज्ञानाने ऑप्टिकल फायबर कम्युनिकेशन्सची क्षमता खूप वाढवली आहे. सध्याच्या ऑप्टिकल फायबर कम्युनिकेशनमध्ये सर्वाधिक प्रमाणात वापरले जाणारे ऑप्टिकल अॅम्प्लिफायर उपकरण बनले आहे.

अलीकडे, ResearchAndMarkets ने जागतिक औद्योगिक लेसर बाजार विश्लेषण अहवाल प्रसिद्ध केला. 2021 मध्ये जागतिक औद्योगिक लेसर बाजाराचे मूल्य USD 6.89 अब्ज इतके होते आणि ते 2027 पर्यंत USD 15.07 अब्ज पर्यंत वाढण्याची अपेक्षा आहे.

सेमीकंडक्टर लेसर हा 1960 च्या दशकात विकसित केलेला एक प्रकारचा लेसर आहे, ज्यामध्ये सेमीकंडक्टर मटेरियल कार्यरत साहित्य म्हणून वापरण्यात आले. 1970 च्या दशकाच्या अखेरीपासून, अर्धसंवाहक लेसर स्पष्टपणे दोन दिशांनी विकसित झाले आहेत. एक प्रकार म्हणजे माहिती प्रसारित करण्याच्या उद्देशाने माहिती-प्रकारचे लेसर आणि दुसरा प्रकार म्हणजे आउटपुट लेसरच्या ऑप्टिकल पॉवरचा थेट वापर करण्याच्या उद्देशाने पॉवर-प्रकार लेसर.

काही सॉलिड-स्टेट लेसर गेन मीडिया ट्रांझिशन मेटल आयनने डोप केलेले असतात आणि ट्रांझिशनल शेलमधील इलेक्ट्रॉन्सचा समावेश होतो. आकृती 1 सामान्यतः वापरले जाणारे ट्रांझिशन मेटल आयन आणि त्यांचे होस्ट मीडिया दाखवते.

एक लेसर जो डोप केलेले फायबर गेन माध्यम म्हणून वापरतो किंवा लेसर ज्याचे लेसर रेझोनेटर बहुतेक फायबरने बनलेले असते.